Горячие новости
 |  | 

Картина дня

«Самсунг» перешла к производству 3-битной MLC NAND памяти 2х hm

«Самсунг» Организация «Самсунг» Электроникс с гордостью назвала, что она первой в промышленности переходит к изготовлению 3-битных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячеями (MLC) на 64 Гбит (8 Гигабайт) с использованием технических общепризнанных мерок 20 hm класса.

Со слов представителей южнокорейского электронного великана, такое завоевание, как предполагается, позволит форсировать введение фирменных высокопроизводительных решений на базе NAND, применяющих технологию Toggle DDR, в продукты, требующие использования NAND памяти с большим признаком насыщенности.

Напоминаем, в начале ноября минувшего года «Самсунг» отметилась схожим достижением, представив NAND чипсеты на 32 Гбит с аналогичным признаком насыщенности (3 бита на ячейку), но при производстве этих решений применялся более классический технический процесс 30 hm класса. Так, переход на “узкую” технологию 2х hm класса разрешил, в числе остального, существенно увеличить емкость NAND памяти. Докладывается, что свежие 3-битные чипсеты MLC NAND на 64 Гбит должны отыскать использование в USB накопителях повышенной емкости и картах памяти формата SD, и, логично, могут применяться в телефонах и твердотельных дисках.

samsung-pereshla-k-proizvodstvu-3-bitnoj-mlc-nand-pamyati-2x-hm

ОБ АВТОРЕ

ОСТАВИТЬ СВОЙ КОММЕНТАРИЙ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

Имя *

Email *

Веб-сайт