«Самсунг» перешла к производству 3-битной MLC NAND памяти 2х hm
Организация «Самсунг» Электроникс с гордостью назвала, что она первой в промышленности переходит к изготовлению 3-битных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячеями (MLC) на 64 Гбит (8 Гигабайт) с использованием технических общепризнанных мерок 20 hm класса.
Со слов представителей южнокорейского электронного великана, такое завоевание, как предполагается, позволит форсировать введение фирменных высокопроизводительных решений на базе NAND, применяющих технологию Toggle DDR, в продукты, требующие использования NAND памяти с большим признаком насыщенности.
Напоминаем, в начале ноября минувшего года «Самсунг» отметилась схожим достижением, представив NAND чипсеты на 32 Гбит с аналогичным признаком насыщенности (3 бита на ячейку), но при производстве этих решений применялся более классический технический процесс 30 hm класса. Так, переход на “узкую” технологию 2х hm класса разрешил, в числе остального, существенно увеличить емкость NAND памяти. Докладывается, что свежие 3-битные чипсеты MLC NAND на 64 Гбит должны отыскать использование в USB накопителях повышенной емкости и картах памяти формата SD, и, логично, могут применяться в телефонах и твердотельных дисках.